OSI InGaAs光電二極管，700nm-1700nm

OSI InGaAs光電二極管是用于檢測近紅外(700nm-1700nm波長)光的半導體器件。OSI Optoelectronics已經開發了各種各樣的設備，適用于該頻譜范圍內的大量應用，如:背面檢測、功率監測、DWDM組件、OTDR測量等。OSI InGaAs光電二極管，銦鎵砷探測器

OSI Optoelectronics的10Gbps光電二極管FCI-InGaAs-36C是一款支持OC-192(SONET/SDH)的光敏器件，具有低暗電流和良好的性能穩定性。FCI-InGaAs-36C暗電流是0.5nA，電容是0.16pF，在1310nm處的響應度是0.85A/W，芯片大小是450x250μm，有效面積是36μm。

陽極和陰極觸點均位于芯片頂面。OSI銦鎵砷光電二極管FCI-InGaAs-36C是10Gbps高速數據傳輸應用的理想元件、它的光譜范圍從910nm到1650nm。

OSI Optoelectronics的最新產品系列包括超低反射率光電二極管。該InGaAs/InP光電二極管專為電信應用而設計，在1520nm至1620nm波長范圍內的典型光學反射率低于0.6%。通過在InGaAs/InP光電二極管表面直接沉積專有的多層抗反射涂層，實現了在寬波長范圍內的超低反射率。

OSI銦鎵砷光電二極管陣列型號

FCI-InGaAs-300B1XX系列是多功能背照式OSI InGaAs光電二極管陣列。它們的標準配置是有源面積為300um的4或8元陣列。背照式InGaAs光電二極管陣列可倒裝到光學平面上，用于正面或背面照明。它們可以采用傳統安裝方式（有源區朝上），也可以朝下組裝，從而最大限度地減小整體尺寸。這些低電感、低暗電流和低電容背照式光電二極管陣列可使用或不使用陶瓷基板。

FCI-InGaAs-XXM系列是線性陣列光電二極管，具有4、8、12和16個陣列，是OSI光電高速紅外敏感OSI InGaAs光電探測器陣列的一部分。每個AR涂層的元素是能夠2.5Gbps的數據速率表現出從1100納米到1620納的高響應性。

檢測器放大器混合

FCI-H125/250G-InGaAs-XX系列是集成了寬動態范圍跨阻放大器的緊湊型高速OSI InGaAs光電探測器。將探測器和跨阻放大器集成在一個密封的4引腳TO-46封裝中，為高速信號放大提供了理想的條件。高速度和高靈敏度使這些器件成為局域網、城域網、廣域網和其他高速通信系統中使用的高比特率接收器的理想選擇。FCI-H125/250G-InGaAs-XX系列還提供FC、SC、ST和SMA插座。

高速光電二極管

FCI-InGaAs-XXX系列具有75μm、120μm、300μm和500μm的活動區域尺寸，具有數據通信和電信應用所需的特性。這些器件在1100納米到1620納米范圍內具有低電容、低暗電流和高響應度的特點，是局域網、城域網、廣域網和其他高速通信系統中使用的高比特率接收器的理想之選。光電二極管封裝在3鉛隔離的TO-46罐或與AR涂層的平面窗口或微透鏡，以提高耦合效率。FCI- InGaAs-XXX系列還提供FC、SC、ST和SMA插座。

大面積光電二極管

FCI-InGaAs-XXX-X系列有源區尺寸分別為1mm、1.5mm和3mm，是OSI Optoelectronics大有源區紅外敏感探測器的一部分，在1100nm至1620nm范圍內表現出優異的響應性，對微弱信號具有很高的靈敏度。這些大有源區器件非常適合用于紅外儀器和監控應用。

監視器光電二極管

OSI Optoelectronics提供廣泛的InGaAs監視器光電二極管。它們具有70um，120um，300um，500 um的有效面積，是安裝在金屬化陶瓷基板上的監控器光電二極管系列的一部分。這些緊湊的組件設計為易于集成。

尾纖光電二極管組件

FCI-InGaAs-XX-XX-XX 有源面積為75um和120um，屬于OSI Optoelectronics的高速紅外敏感探測器系列，采用光纖尾纖封裝。單模/多模光纖與TO-46透鏡蓋封裝的密封OSI InGaAs光電二極管光學對準，提高了耦合效率和穩定性。

四象限InGaAs光電二極管

FCI-InGaAs-QXXX系列是有效面積大OSI InGaAs光電探測器，分為四個獨立的有效區域。這些光電二極管在1毫米和3毫米的有源區直徑。InGaAs系列具有高響應性、高均勻性和元件之間的低串擾是精確調零或對中心應用以及光束輪廓分析應用的理想選擇。它們在1100nm至1620nm范圍內表現出優異的響應性，并且在時間和溫度范圍內穩定，響應時間快，適合高速或脈沖操作。OSI InGaAs光電二極管，銦鎵砷探測器