波長(zhǎng)范圍1μm-5.5μm，InSb/HgCdTe，銻化銦/碲鎘汞探測(cè)器

美國(guó)InfraRed Associates公司為熱成像、科研以及光譜學(xué)等應(yīng)用提供銻化銦/碲鎘汞探測(cè)器和銻化銦/碲鎘汞雙色紅外探測(cè)(InSb/HgCdTe 2-color)，這些Infrared探測(cè)器各有各的優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)，以下簡(jiǎn)單介紹這幾款Infrared銻化銦/碲鎘汞MCT探測(cè)器。Infrared Associates銻化銦/碲鎘汞探測(cè)器

圖1：InSb/HgCdTe探測(cè)器圖示

光伏銻化銦探測(cè)器(InSb Detectors)：

InfraRed Associates提供的光伏銻化銦探測(cè)器是利用單晶材料通過(guò)介子技術(shù)形成p-n結(jié)，這種工藝可生產(chǎn)出較高質(zhì)量的光電二極管，并且在1μm至5.5μm波長(zhǎng)區(qū)域表現(xiàn)出的電光性能。這些二極管是背景限制(BLIP)的探測(cè)器，其性能可通過(guò)空間（冷卻FOV stops）或光譜（冷卻干擾濾波器）減少背景來(lái)提高。

圖2：D*值曲線圖

光電效應(yīng)是指當(dāng)適當(dāng)波長(zhǎng)的輻射入射到p-n結(jié)時(shí)，p-n結(jié)上會(huì)產(chǎn)生電勢(shì)。當(dāng)光子通量照射到交界時(shí)，如果光子能量超過(guò)禁帶間隙能量，就會(huì)形成電子-空穴對(duì)。

磁場(chǎng)將電子從p區(qū)掃向n區(qū)，將空穴從n區(qū)掃向p區(qū)。這一過(guò)程使p區(qū)為正，n區(qū)為負(fù)，并在外部電路中產(chǎn)生電流。InSb探測(cè)器的等效電路如下所示。該電路由信號(hào)和噪聲電流發(fā)生器與電阻和電容項(xiàng)并聯(lián)組成。

圖3：InSb探測(cè)器的等效電路圖

當(dāng)背景輻射通過(guò)在有源元件中產(chǎn)生恒定輸出而改變工作曲線時(shí)，探測(cè)器應(yīng)反向偏置，使其回到最佳工作點(diǎn)：零電壓。

這可以通過(guò)使用匹配的前置放大器來(lái)實(shí)現(xiàn)，例如IAP-1000IS。探測(cè)器前置放大器系統(tǒng)在探測(cè)器噪聲受限模式下工作，需要雙路輸出電源。

光伏銻化銦探測(cè)器的應(yīng)用：

- 醫(yī)療熱成像

- 熱成像

- 光譜學(xué)

- 輻射測(cè)量

- 科研

- 紅外顯微鏡

光伏銻化銦探測(cè)器的規(guī)格參數(shù)：

標(biāo)準(zhǔn)光伏銻化銦探測(cè)器規(guī)格表

可根據(jù)客戶的規(guī)格要求定制配置和陣列。此外，還可提供定制的金屬和玻璃露臺(tái)，以配合各種冷卻技術(shù)，詳情請(qǐng)聯(lián)系我們。

碲鎘汞(MCT)探測(cè)器(Mercury Cadmium Telluride (HgCdTe))：

InfraRed Associate提供完整系列的光電導(dǎo)碲鎘汞 (HgCdTe) LN2 和 TE 冷卻探測(cè)器。通過(guò)調(diào)整這種三元化合物的合金成分，可以改變波長(zhǎng)響應(yīng)。

操作這些光電導(dǎo)碲鎘汞探測(cè)器時(shí)需要偏置電壓，并確定最佳值以實(shí)現(xiàn)最高信噪比。InfraRed Associates的探測(cè)器在性能上通常受到背景噪聲的限制。

標(biāo)準(zhǔn)LN2冷卻和TE冷卻（LN2 cooled and TE cooled）MCT探測(cè)器的響應(yīng)如下圖所示，圖中給出的是FOV60度下的D*值和響應(yīng)度。數(shù)值因元件尺寸和封裝而異，請(qǐng)參閱規(guī)格表，了解與探測(cè)器要求相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)。

圖4：標(biāo)準(zhǔn)LN2冷卻和TE冷卻（LN2 cooled and TE cooled）MCT探測(cè)器的響應(yīng)圖

光電導(dǎo)碲鎘汞探測(cè)器的應(yīng)用：

- 醫(yī)學(xué)熱成像

- 熱成像

- 傅立葉變換紅外光譜儀

- 分析儀器

- 科研

- 污染監(jiān)測(cè)

銻化銦/碲鎘汞雙色紅外探測(cè)器(InSb/HgCdTe 2-color)：

InfraRed Associates為商業(yè)和軍事應(yīng)用提供InSb/HgCdTe 雙色紅外探測(cè)器。這些探測(cè)器可對(duì)紅外光譜中不同但相鄰的區(qū)域做出響應(yīng)，一個(gè)元件響應(yīng)短波長(zhǎng)輻射，另一個(gè)元件響應(yīng)長(zhǎng)波長(zhǎng)輻射。

其中，結(jié)構(gòu)允許兩個(gè)元件位于同一焦點(diǎn)。 InSb/HgCdTe 雙色探測(cè)器的InSb元件對(duì)1µm至5.5µm的輻射做出響應(yīng)，HgCdTe元件對(duì)5.5µm至12.5µm的輻射做出響應(yīng)。碲化鎘汞元件可進(jìn)行定制，以將其長(zhǎng)波長(zhǎng)響應(yīng)范圍擴(kuò)展到25mm以上。可根據(jù)客戶的規(guī)格要求進(jìn)行定制配置，了解詳情，請(qǐng)聯(lián)系我們。

圖5：響應(yīng)度曲線圖

銻化銦/碲鎘汞雙色紅外探測(cè)器的應(yīng)用：

- 輻射測(cè)量

- 熱成像

- 背景識(shí)別Background Discrimination

- 傅立葉變換紅外光譜

- 紅外顯微鏡

銻化銦/碲鎘汞雙色紅外探測(cè)器的規(guī)格參數(shù)：

標(biāo)準(zhǔn)InSb/HgCdTe雙色紅外探測(cè)器規(guī)格表

Infrared Associates銻化銦/碲鎘汞探測(cè)器