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5G時代重要的半導體材料：碳化硅（SiC）的膜厚測量
閱讀：2935 發布時間：2020-1-17作者：Kevin Hu，優尼康科技有限公司技術工程師
隨著5G大潮的到來，新一代的移動通信產品大多具備高功率，耐高溫等特性，傳統原料中的硅(Si)無法克服在高溫、高壓、高頻中的損耗，逐漸被淘汰，跟不上時代的發展，無法滿足現代工藝的要求，這就使得碳化硅（SiC）新工藝在半導體行業嶄露頭角。
目前SiC 產品格局還處于三足鼎立的狀態，美國、歐洲、日本占據產值的八成，其中又以美國獨大，中國雖以即將進入5G時代，但是半導體在SiC方面仍屬于發展初期，目前在基底、磊晶和零組件方面均有布局。
為了把控和檢測產品工藝，提高技術生產水平，SiC工藝中管控各種膜厚厚度顯得尤為重要。
我們優尼康提供的Filmetrics的光學膜厚儀，因為光學測量具有快速無損等優點，已經廣泛使用在半導體相關的企業中，尤其在近新興的SiC器件量測應用中。例如國內SiC生產的企業，中車、華潤上華、啟迪新材料等等。
SiC工藝中常見測量膜層有：SiO2/PESiO2、SiNx、C膜、多晶硅、非晶硅、光刻膠、BPSG/USG等。
為了更好的解決不斷出現的SiC新工藝上的測量問題，也為了能夠幫助半導體企業更快更好的提高制作工藝，我們優尼康公司愿意和廣大廠家一起，為中國芯片添磚加瓦，有任何相關的測量需求，均可來電和我們技術工程師溝通探討。