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當前位置：德國韋氏納米系統（香港）有限公司>>Etching/等離子蝕刻系統>>等離子刻蝕ICP>> Minilock-Phantom III ICP等離子刻蝕ICP
| 產地類別 | 進口 |
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系統有多達七種工藝氣體可以用于刻蝕各種薄膜，如氧化硅、氮化硅、多晶硅、鋁、砷化鎵、鉻、銅、磷化銦和鈦。該反應室還可以用于去除光刻膠和有機材料。可選配靜電吸盤(E-chuck)，以便更有效地在刻蝕工藝中讓基片保持冷卻。該E-chuck使用氦壓力控制器，及在基片背面保持一個氦冷卻層，從而達到控制基片溫度的作用。
該設備可選配一個電感耦合等離子(ICP)源，其使得用戶可以創建高密度等離子，從而提高刻蝕速率和各向異性等刻蝕性能。
基片通過預真空室裝入。其避免與工藝室以及任意殘余刻蝕副產品接觸，從而提高了用戶安全性。預真空室還使得工藝室始終保持在真空下，從而隔絕外部濕氣，防止反應室內可能發生的腐蝕。
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