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| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
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光纖電光太赫茲傳感器
昊量光電新推出太赫茲電磁場傳感器使用由鈮酸鋰薄膜制成的馬赫-曾德爾調(diào)制器來探測太赫茲波。在時(shí)域太赫茲光譜學(xué)應(yīng)用中，該電光太赫茲傳感器可以代替笨重的基于偏振調(diào)制的光學(xué)元件。光纖電光太赫茲 傳感器可以實(shí)現(xiàn)高空間分辨率，并且可以在直流頻率附近工作，蕞高可達(dá)幾個(gè)太赫茲。傳感器可以采用全介質(zhì)材料，也可以采用太赫茲天線。對于低太赫茲場值，天線可以將靈敏度提高10倍。介電型傳感器不干擾被測電場，可用于高太赫茲場的應(yīng)用。由于使用了光纖電纜，因此不需要校準(zhǔn)，并且傳感器可以很容易地放置在太赫茲波束路徑中進(jìn)行太赫茲信號的采樣。電光太赫茲傳感器工作在1550nm的眼睛安全波長。該器件可用于取代太赫茲時(shí)域光譜應(yīng)用中笨重的電光采樣晶體。
太赫茲電場傳感器由一個(gè)光纖耦合馬赫-曾德爾調(diào)制器組成，該調(diào)制器具有一根輸入光纖和兩根用于平衡檢測的輸出光纖。光纖電光太赫茲 傳感器的光學(xué)電路示意圖如下所示。該傳感器由一個(gè)輸入光柵耦合器和兩個(gè)輸出光柵耦合器組成。在輸入和輸出耦合器之間，有一個(gè)馬赫-曾德爾調(diào)制器部分。馬赫-曾德爾調(diào)制器的兩臂方向相反。當(dāng)電場作用在器件上時(shí)，由于調(diào)制器的極化作用，器件一側(cè)臂的折射率增加，另一側(cè)臂的折射率降低。因此電場對光信號進(jìn)行調(diào)制。由于采用了鈮酸鋰薄膜，射頻信號和光信號的相位匹配良好。因此，高帶寬可達(dá)幾個(gè)太赫茲。
光纖電光太赫茲傳感器產(chǎn)品特性：
基于鈮酸鋰薄膜的研究
電光馬赫-曾德爾調(diào)制器
直流頻率到太赫茲頻率
所有介電材料
不受電磁干擾
高空間分辨率
光纖電光太赫茲 傳感器Mach-Zehnder THz sensor, P/N MZ-XX-Q-B-YY
| 參數(shù) | 高帶寬 | 高靈敏度 |
| 動態(tài)范圍 | 10 V/m – 2MV/m | 1 V/m – 200kV/m |
| 靈敏度 | 10 V/(m. Hz 0.5) | 1 V/(m. Hz 0.5) |
| 選擇性（正交成分抑制） | >30 (dB) | >30 (dB) |
| 光學(xué)插入損耗 | -12 (dB) | -12 (dB) |
| 工作波長 | 1550 (nm) | 1550 (nm) |
| 測量方向 | PL: Parallel | PL: Parallel |
| -3dB帶寬（光耦合器） | 50(nm) | 50(nm) |
| -3dB 調(diào)制器帶寬* | 600 GHz | 60 GHz |
| 有效相互作用長度 XX | 600 microns | 6000 microns |
| Ep | 23 MV/m | 2.3 MV/m |
| 傳感器尺寸 | 3(mm) x 25(mm) | 3(mm) x 25(mm) |
| 光纖長度 | 1(m) | 1(m) |
| 光纖及接口 | 3 PM, FC/APC | 3 PM, FC/APC |
光纖電光太赫茲 傳感器電場THz 傳感器控制器, P/N: L-1550-THz-D-400-B
| 參數(shù) | 數(shù)值 | 備注 |
| 激光功率 | 10 (mW) | |
| 工作波長 | 1550 (nm) | |
| 測量范圍 | 1 GHz – 1 THz | 取決于傳感器 |
| 典型響應(yīng)增益 | 0.4 (μV/(V/m)) | 0.04(μV/(V/m)) for 600micron devices |
| 蕞大輸出頻率 | 100 MHz | |
| 尺寸 | 300x264x134(mm) | 可低至6ps |
| 重量 | 1 (kg) | |
| 輸出 | SMA-50 ohm | |
| 供電 | 110-220 volt, 50-60Hz |
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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