等離子刻蝕機(Plasma Etcher)是一種常用于微納米加工領域的設備，用于對半導體器件、光學元件、生物芯片等材料進行精細加工和圖案定義。其原理基于等離子體技術，通過將氣體放電產生等離子體，利用等離子體中的離子和自由基對材料表面進行化學反應和物理刻蝕。工作原理：
1.將氣體(如氟化氣體)引入反應室，通過射頻(RF)功率源或微波源等方式對氣體進行放電。放電過程中產生的電場和能量激發氣體分子，形成等離子體。
2.氣體分子被激發成離子、電子和自由基等活性物種。這些活性物種對材料表面發生化學反應，如氟化、氧化、硅化等，從而改變表面化學性質。
3.離子和自由基對材料表面施加能量，導致材料表面原子或分子的脫除。這種物理刻蝕過程使材料表面逐漸被剝離，實現對材料的精細加工和圖案定義。
4.通過控制氣體種類、放電功率、反應室壓力等參數，可以實現對不同材料的選擇性刻蝕。例如，可以實現對硅、氮化硅、氧化硅等材料的選擇性刻蝕。
5.通常還配備真空系統、溫度控制系統、氣體流控制系統等輔助功能，以確保刻蝕過程的穩定性和可控性。
CCP等離子刻蝕機WINETCH是面向科研及企業研發客戶使用需求設計的高性價比CCP等離子體系統。作為一個多功能系統，它通過優化的系統設計與靈活的配置方案，獲得高性能CCP刻蝕工藝。該設備結構緊湊占地面積小，業的機械設計與優化的自動化操作軟件使該設備操作簡便、安全，且工藝穩定重復性佳。
CCP刻蝕是一種常用的微納加工技術，廣泛應用于半導體器件制造、光學器件制造，生物芯片制造等域。其原理是利用高頻交變電場產生等離子體，在等離子體的作用下將材料表面進行化學反應和物理碰撞，從而實現對材料的刻蝕。
CCP等離子刻蝕機WINETCH刻蝕系統通過電容耦合(CCP)方式產生高密度等離子體，按掩膜(例如光刻膠掩膜)圖形、實現對介質材料(例如氧化硅SiO2、氮化硅SiNx等)的選擇性刻蝕。
CCP系統主要由以下幾部分組成：反應腔室、下電 、噴淋頭(上電)、射頻電源、真空系統、預真空室、氣路系統、控制系統與軟件、配套附件等。
WINETCH等離子刻蝕機產品特點：
-刻蝕形貌好、工藝性能*
-高選擇比、高刻蝕速率
-低擁有成本和消耗成本
WINETCH等離子刻蝕機技術參數：
晶圓尺寸：6/8寸兼容
適用工藝：等離子體刻蝕
適用材料：SiO2，Si3N4，etc.適用域:化合物半導體、MEMS、功率器件、科研等域
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