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上海實驗室真空PECVD射頻模塊薄膜均勻沉積
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參考價 面議
具體成交價以合同協議為準
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  • 品牌 鄭科探
  • 型號
  • 廠商性質 生產商
  • 所在地 鄭州市
屬性

應用領域:電子

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更新時間:2023-12-21 10:32:17瀏覽次數:1632評價

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應用領域 電子
上海實驗室真空PECVD射頻模塊薄膜均勻沉積通過反應氣態放電,有效地利用了非平衡等離子體的反應特征,從根本上改變了反應體系的能量供給方式低溫熱等離子體化學氣相沉積法具有氣相法的所有優點,工藝流程簡單,與傳統CVD系統比較,生長溫度更低,管輝光均勻等效,薄膜均勻沉積。

PECVD簡介

   上海實驗室真空PECVD射頻模塊薄膜均勻沉積PECVD是借助于輝光放電等方法產生等離子體,輝光放電等離子體中:電子密度高109-1012cm3電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍,使含有薄膜組成的氣態物質發生化學反應,從而實現薄膜材料生長的一種新的制備技術。

  上海實驗室真空PECVD射頻模塊薄膜均勻沉積通過反應氣態放電,有效地利用了非平衡等離子體的反應特征,從根本上改變了反應體系的能量供給方式低溫熱等離子體化學氣相沉積法具有氣相法的所有優點,工藝流程簡單,與傳統CVD系統比較,生長溫度更低,管輝光均勻等效,薄膜均勻沉積。

上海實驗室PECVD射頻模塊薄膜均勻沉積

KT-PE150S  性能

型號

KT-PE150S

KT-PE500Z

13.56MHz±0.005%

出范

0-150W

0-500W

功率穩定度

5W

射功

40W

出接

7/16,female  50 Ω

定度

5W

匹配方式

手動調節匹配

500W自動匹配

耦合方式

電感式耦合

輝光壓力

30Pa

50/60Hz 220v±10%

70%

強制風冷

支持爐管直徑

φ25-φ80

φ25-φ150

感應區

210mm

48KG

:H x W x D(mm)

600 x 600x 1100



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