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 新型繼電器編輯
新型繼電器是指為了適應(yīng)新提出的特殊要求，滿足特殊環(huán)境條件下的使用而研制生產(chǎn)出的電磁式繼電器，其主要特點是體積小、質(zhì)量輕、耐振動、抗沖擊、負(fù)載范圍從低電平負(fù)載到5A、28 V額定負(fù)載，產(chǎn)品有可靠性指標(biāo)（失效率等級）要求，產(chǎn)品采用電阻熔焊或激光熔焊密封的氣密式密封結(jié)構(gòu)，主要應(yīng)用于電子控制設(shè)備中的信號傳遞和弱電功率切換。 [10] 
新型電磁式繼電器包括：非磁保持繼電器和磁保持繼電器。非磁保持繼電器是一種單穩(wěn)態(tài)繼電器，繼電器線圈在規(guī)定的電壓激勵量作用下，其觸點輸出狀態(tài)改變，但在線圈激勵撤銷后，觸點輸出狀態(tài)復(fù)原到初始狀態(tài)。磁保持繼電器是一種雙穩(wěn)態(tài)繼電器，分單線圈結(jié)構(gòu)和雙線圈結(jié)構(gòu)，線圈激勵為電脈沖方式。對單線圈結(jié)構(gòu)繼電器，當(dāng)線圈在規(guī)定的電壓激勵量作用下其觸點輸出狀態(tài)改變，線圈激勵撤銷后，觸點能保持已有狀態(tài)，要改變觸點輸出狀態(tài)，需對線圈加一規(guī)定的反向電壓激勵量。對雙線圈結(jié)構(gòu)繼電器，當(dāng)線圈在規(guī)定的電壓激勵量作用下其觸點輸出狀態(tài)改變，線圈激勵撤銷后，觸點能保持已有狀態(tài)，要改變觸點輸出狀態(tài)，需對第二線圈加規(guī)定的電壓激勵量。 [10] 
由于新型繼電器具有的特殊性能，它的檢測方法和檢測要求也不同于常規(guī)繼電器的檢測。主要檢測的內(nèi)容有電氣參數(shù)檢測、電氣性能指標(biāo)檢測、機(jī)械性能指標(biāo)檢測和物理性能指標(biāo)檢測等。

馮諾依曼體系結(jié)構(gòu)是現(xiàn)代計算機(jī)的基礎(chǔ)。在該體系結(jié)構(gòu)下，程序和數(shù)據(jù)統(tǒng)一存儲，指令和數(shù)據(jù)需要從同一存儲空間存取，經(jīng)由同一總線傳輸，無法重疊執(zhí)行。根據(jù)馮諾依曼體系，CPU的工作分為以下 5 個階段：取指令階段、指令譯碼階段、執(zhí)行指令階段、訪存取數(shù)和結(jié)果寫回。 [1] 
取指令（IF，instruction fetch），即將一條指令從主存儲器中取到指令寄存器的過程。程序計數(shù)器中的數(shù)值，用來指示當(dāng)前指令在主存中的位置。當(dāng) 一條指令被取出后，PC中的數(shù)值將根據(jù)指令字長度自動遞增。 [1] 
指令譯碼階段（ID，instruction decode），取出指令后，指令譯碼器按照預(yù)定的指令格式，對取回的指令進(jìn)行拆分和解釋，識別區(qū)分出不同的指令類 別以及各種獲取操作數(shù)的方法。 [1] 
執(zhí)行指令階段（EX，execute），具體實現(xiàn)指令的功能。CPU的不同部分被連接起來，以執(zhí)行所需的操作。
訪存取數(shù)階段（MEM，memory），根據(jù)指令需要訪問主存、讀取操作數(shù)，CPU得到操作數(shù)在主存中的地址，并從主存中讀取該操作數(shù)用于運算。部分指令不需要訪問主存，則可以跳過該階段。 [1] 

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