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應用領域	環保,生物產業,能源,電子

等離子體納米表面處理改造系統產品特點：

等離子源采用頻率為13.56MHz射頻發生器，同時具備物理清洗和化學清洗能力。

電源功率為200W，覆蓋常規處理需求。

創新設計，可調整電極之間距離，調整等離子體濃度和強度，大提升處理效率和能力。

真空腔體和管道連接件均采用316不銹鋼，電極6061航空鋁合金，配件材質精良，保證設備穩定高效運行。

樣品處理面積可達125mm（大處理面積可達200mm，如有需求請咨詢銷售人員）。

4.3寸工業級觸摸屏，操作簡單，可設置多種實驗參數。

性能穩定可靠，質量穩定，自主研發，售后有保障。

等離子體納米表面處理改造系統產品參數：

1. 真空腔規格：316不銹鋼腔體，直徑210mm*(深)230mm，約4L

2. 電極：兩個自適應平板電極，材質T6061鋁合金

3. 電極尺寸：120*135mm間距20~75mm可調

4. 等離子體發生器：RF射頻發生器，頻率：13.56MHz

5. 功率：0-200W連續可調，精度1W

6. 氣體控制：針式氣體流量閥，標配1路氣體

7. 控制方式：4.3寸工業控制觸摸屏

控制軟件功能：界面顯示實時工作狀態

可顯示設置值與實際值，便于實時控制

可自由設置等離子功率，通入氣體時間

全手動控制和全自動控制可選

8. 保護裝置：一鍵急停保護按鈕

等離子體表面處理系統Pluto-M參數(標準配置)
外部尺寸	404640515mm
真空腔尺寸	直徑210mm*230mm		不銹鋼腔體
電極尺寸	125*125mm		多空自適應平板電極
等離子體發生器	RF射頻發生器，頻率：13.56MHz		自適應阻抗匹配電源
功率	0-200W連續可調		精度1W
真空計	熱電偶真空計 0-1000mT
供氣	1路氣體		6mm國標連接件（軟管）
控制方式	4.3寸觸摸屏
可選配置
ALC	純鋁腔體
RF-300	等離子體發生器	頻率13.56MHz，0-300W自動阻抗匹配電源
可調電極	可調節電極間距	電極間距20-60mm可調，改變等離子體場濃度特性
CM裝置	沉積鍍膜模塊	用于改變表面特性： 1. 沉積CF材料，樣品表面可以具有憎水的特性 2. 沉積含苯材料，樣品表面起到絕緣防水的特性 3. 沉積含有羥基的材料，提高樣品表面和其他材料的結合效果
GP裝置	氣體純化裝置
PPU	粉體處理裝置	用于處理微納米級別顆粒
	氣體收集裝置	用于收集等離子體化學反應后的氣體
	小型氧氣發生器	用于制備氧氣，可取代氧氣罐
	氣體混合裝置	可以根據可以要求進行混氣設計
	感應耦合模塊	感應耦合等離子體裝置
	加熱電極模塊	電極可以加熱，室溫~200度可調
	光譜儀模塊	可以增加光譜儀的接口，檢測等離子體光譜變化
	電極轉換模塊	可以自由變換電極設計，樣品可以放在射頻電極上，也可以放在地電極上。從而實現不同的處理效果

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