EMMI半導體芯片檢測微光顯微鏡 是利用高增益相機/探測器來檢測由某些半導體器件缺陷/失效發出的微量光子的一種設備。

二、原理

微光顯微鏡（Emission Microscope, EMMI）是利用高增益相機/探測器來檢測由某些半導體器件缺陷/失效發出的微量光子的一種設備。

當對樣品施加適當電壓時，其失效點會因加速載流子散射或電子-空穴對的復合而釋放特定波長的光子。這些光子經過收集和圖像處理后，就可以得到一張信號圖。撤去對樣品施加的電壓后，再收集一張背景圖，把信號圖和背景圖疊加之后，就可以定位發光點的位置，從而實現對失效點的定位。

InGaAs EMMI和傳統EMMI具有相同的原理和功能。兩種探測光子的傳感器都是由電子-空穴復合和熱載流子觸發的。它們的不同之處在于InGaAs具有更高的靈敏度，并且可以檢測更長的波長范圍900-1700 nm（相對于 350-1100 nm 的傳統EMMI），這與 IR（紅外）的光譜波長相同。

三、儀器特點

（1）InGaAs采集相機，在近紅外區域具備高靈敏度；

（2）分辨率高；

（3）多倍率圖像采集：5X~100X；

（4）-70°C水冷降低暗電流帶來的信噪；

（5）水冷/空氣冷卻自由轉換。

EMMI半導體芯片檢測微光顯微鏡

四、應用范圍

（1）LED故障分析；

（2）太陽能電池評估；

（3）半導體失效分析；

（4）EL/PL圖像采集；

（5）光通信設備分析。

偵測到亮點的情況：

會激發光子的缺陷：P-N接面漏電或崩潰、因開路或短路而誤動作的電晶體、閂鎖效應、閘極氧化層漏電、細絲殘留的多晶硅、硅基底的損害、燒毀的元件假缺陷(正常操作即會激發光子)。

假缺陷(正常操作即會激發光子)：浮接狀態的閘極、飽和區操作中的BJT或MOSFET、順向偏壓的二極體。

偵測不到光子的情形：

光激發位置被上方層次擋到、歐姆接觸、埋入式的接面、大面積金屬線底下的漏電位置、電阻性短路或橋接、金屬連接短路(有時仍會被EMMI偵測到)、表面導通路徑、硅導通路徑、漏電過小(<0.1uA)。