碳化硅晶體，SiC，六方晶系

中文名稱：碳化硅晶體

化學式：SiC

分子量：40.096

CAS號：409-21-2

密度：3.21g/cm3

外觀：黃色至綠色，至藍色至黑色晶體，取決于其純度

水溶性：不溶

應用：用于磨料、耐磨劑、磨具、高級耐火材料，精細陶瓷

生長方法：MOCVD

晶體結構：六方

晶格常數：a=3.07c=15.117

方向生長：生長軸或偏4°

帶隙：3.02eV(間接)

硬度：9.2(mohs)

密度：3.21g/cm3

熱傳導@300K:3-5*10W/m

介電常數：e(11)=e(22)=9.66e(33)=10.33

厚度：0.35mm和0.5mm

拋光：單面或雙面

晶向：±0.5°或偏4°

晶面定向精度：±0.5°

邊緣定向精度：2°(特殊要求可達1以內)

斜切晶片：可按特定需求，加工邊緣取向的晶面按特定角度傾斜(傾斜角1-45°)的晶片5A

碳化硅晶體，SiC，六方晶系

碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅是一種半導體，在自然界中以罕見的礦物莫桑石的形式存在。現在已被大規模生產為粉末和晶體，用作磨料等。在C、N、B等非氧化物高技術耐火原料中，碳化硅是應用廣泛、經濟的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。中國工業生產的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體。

SiC是一種的二元化合物半導體材料，其晶體結構的基本單元為一個四重對稱性的四面體，即SiC4或CSi4，相鄰的兩個Si原子或兩個C原子之間的距離是3.08?，而相鄰的C原子和Si原子之間的距離僅約1.89?。在SiC晶體中，Si和C原子通過在sp3雜化軌道上共享電子對形成非常強的四面體共價鍵(鍵能為4.6eV)。

純碳化硅是無色透明的晶體。工業碳化硅因所含雜質的種類和含量不同，而呈淺黃、綠、藍乃至黑色，透明度隨其純度不同而異。碳化硅晶體結構分為六方或菱面體的α-SiC和立方體的β-SiC（稱立方碳化硅)。α-SiC由于其晶體結構中碳和硅原子的堆垛序列不同而構成許多不同變體，已發現70余種。β-SiC于2100℃以上時轉變為α-SiC。α-SiC是常見的晶型，β-SiC屬立方晶系，又名立方碳化硅。直到現在，β-SiC的商業用途相對較少，盡管由于其比α-SiC具有更高的表面積，可以將其用作多相催化劑的載體。碳化硅的工業制法是用優質石英砂和石油焦在電阻爐內煉制。煉得的碳化硅塊，經破碎、酸堿洗、磁選和篩分或水選而制成各種粒度的產晶。

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以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2024.1.11.         

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