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目錄:北京卓立漢光儀器有限公司>>光譜儀器>>微區(qū)磁光及角分辨>> 微區(qū)-磁光克爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)

微區(qū)-磁光克爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)
  • 微區(qū)-磁光克爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)
參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 品牌 ZOLIX/卓立漢光
  • 型號(hào)
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
  • 所在地 北京市
屬性

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更新時(shí)間:2024-11-26 17:26:44瀏覽次數(shù):239評(píng)價(jià)

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北京卓立漢光儀器有限公司全新推出微區(qū)-磁光克爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng),可根據(jù)用戶需求提供定制化解決方案,產(chǎn)品范圍涵蓋微區(qū)磁光克爾系統(tǒng)和磁圓二色測(cè)試系統(tǒng),并可根據(jù)用戶需求升級(jí)拓展拉曼,熒光,熒光壽命及二次諧波等模塊,可用于檢測(cè)樣品表面磁性和磁疇結(jié)構(gòu),適用于磁性材料、二維鐵磁材料和自旋電子器件等應(yīng)用領(lǐng)域。

微區(qū)-磁光克爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)

產(chǎn)品概述

磁光克爾測(cè)量技術(shù)主要通過探測(cè)光和磁性樣品相互作用后反射光的偏振態(tài)變化來研究材料的磁性,在超快磁光存儲(chǔ)領(lǐng)域有重要應(yīng)用,磁光克爾測(cè)量技術(shù)是一種無接觸光學(xué)測(cè)量技術(shù), 在單原子層微小樣品測(cè)量方面*具優(yōu)勢(shì),實(shí)現(xiàn)PPMS和SQUID無法完成的測(cè)量。微區(qū)磁光克爾系統(tǒng)是基于磁光克爾效應(yīng)的非接觸、非破壞可直接觀測(cè)磁性材料和器件中的磁化狀態(tài)的光學(xué)顯微成像設(shè)備,用于清晰直觀了解樣品內(nèi)的磁化狀態(tài)空間分布和時(shí)間演化。
北京卓立漢光儀器有限公司全新推出微區(qū)磁光克爾及磁圓二色測(cè)試系統(tǒng),可根據(jù)用戶需求提供定制化解決方案,產(chǎn)品范圍涵蓋微區(qū)磁光克爾系統(tǒng)和磁圓二色測(cè)試系統(tǒng),并可根據(jù)用戶需求升級(jí)拓展拉曼,熒光,熒光壽命及二次諧波(可選配電控偏振)等模塊,可用于檢測(cè)樣品表面磁性和磁疇結(jié)構(gòu),適用于磁性材料、二維鐵磁材料和自旋電子器件等應(yīng)用領(lǐng)域。

  • 非接觸,非破壞

  • 波長(zhǎng),偏振態(tài),角度分辨

  • 微區(qū)測(cè)量

  • 磁疇成像

系統(tǒng)結(jié)構(gòu)

磁光克爾顯微成像測(cè)試系統(tǒng)使用多路鎖相,同步采集,大幅抑制激光功率波動(dòng)噪聲。配置無磁反射式物鏡或單個(gè)非球面鏡成像,極低的法拉第效應(yīng)。使用光彈調(diào)制器,同步獲得MOKE與RMCD數(shù)據(jù)。產(chǎn)品從空間配置與鍍膜參數(shù)嚴(yán)格設(shè)計(jì)及檢測(cè)的光學(xué)元件組,保偏性能*佳。

微區(qū)-磁光克爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)

主要配置清單

模塊

參數(shù)

主體架構(gòu)

主體尺寸:長(zhǎng) × 寬 × 高,約 600 mm × 600 mm × 550 mm;
高承重三維電控底座:步進(jìn)電機(jī)位移行程:行程:X*Y*Z 120*120*40 mm;XY最小步進(jìn)距離: 0.04 um, Z軸最小步進(jìn)距離:~0.01 um;最大負(fù)載:> 10 Kg;
鋁合金整體架構(gòu);
光路整體移動(dòng):1. 光路移出以更換樣品;2. 大范圍尋找待測(cè)區(qū)域。
靠近磁體部分采用無磁設(shè)計(jì);

顯微成像模塊

尺寸:長(zhǎng) × 寬 × 高,約 550 mm × 550 mm × 145 mm;
可見光相機(jī):20M pixels,15fps@5K ,50fps@1.8K, Sony 1 英寸CMOS;
物鏡: 適配磁體,無磁反射式物鏡或非球面透鏡;
照明光源: 科勒照明, LED面光源,亮度連續(xù)可調(diào);
成像模塊可電控完*移出光路,且不影響樣品面光斑位置。

MOKE&RMCD模塊

外殼尺寸:長(zhǎng) × 寬 × 高,約 550 mm × 550 mm × 145 mm;
包含所需的外置設(shè)備:鎖相放大器;
低噪聲前置放大探頭;
光彈調(diào)制器;
斬波器;
克爾角分辨率: ~0.5 mdeg  (~ 8.7mrad);
一次掃場(chǎng)同時(shí)獲得RMCD和MOKE數(shù)據(jù);
電控切換成像與測(cè)試;
電控功率;
Mapping功能,配合步進(jìn)掃描臺(tái),或低溫設(shè)備內(nèi)置壓電臺(tái)。

Raman532&PL&SHG模塊

外殼尺寸:長(zhǎng) × 寬 × 高,約 550 mm × 550 mm × 145 mm;
拉曼*低波數(shù):< 80 cm-1;
空間分辨率:300 nm (532 nm激光);
電控偏振掃描:起偏&檢偏,角度分辨率 0.0144 deg;
電控功率調(diào)整;
Mapping功能,配合步進(jìn)掃描臺(tái),或低溫設(shè)備內(nèi)置壓電臺(tái)。

532nm窄線寬激光器
MSL-U-532

中心波長(zhǎng):532nm+/-0.1
輸出功率:100mw
功率穩(wěn)定性:2%(4 小時(shí) RMS)
M2:<1.2
線寬:<0.00001nm
光斑模式:TEM00
噪聲:<0.5%

軟件

MOKE,RMCD,Raman,PL 掃描成像;
偏振掃描;
支持文本代碼輸入,以實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化測(cè)試流程;

典型光路原理:

模塊化軟件界面:

微區(qū)-磁光克爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)

可編程自動(dòng)化運(yùn)行界面:

微區(qū)-磁光克爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)

典型數(shù)據(jù)和論文:


微區(qū)-磁光克爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)


微區(qū)-磁光克爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)

面掃描,磁疇成像,器件成像

微區(qū)-磁光克爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)微區(qū)-磁光克爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)

本系統(tǒng)已發(fā)表論文:

[1] Huang X, et al. Nature Communications, 14(1): 2190.( 2023)
[2] Chen X, et al. Adv. Sci. 10, 2207617.( 2023)
[3] Dai H, et al. [J]. ACS nano, 16(8): 12437-12444.( 2022)
[4] Dai H, et al. [J]. ACS Appl. Mater. Interfaces 2021, 13, 24314?24320
[5] Zhang L, et al. Adv. Mater. 2020, 32, 2002032
[6] Wang M, et al. Nanoscale, 2020, 12, 16427.

可擴(kuò)展功能:

拉曼,熒光,熒光壽命及二次諧波

微區(qū)-磁光克爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)

典型實(shí)測(cè)數(shù)據(jù):
偏振二次諧波:紅*納米帶

微區(qū)-磁光克爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)

熒光壽命掃描(FLIM):Cs/FA/MA三陽離子鈣鈦礦

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