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曝光面積 | 100mm*100mm | 曝光強度 | 40mW/cm2可調 |
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紫外光源壽命 | 2萬小時 | 對準精度 | 1μm |
套刻精度 | 1μm | 主機電源 | 220V±10% |
重量 | ≤100Kg |
C-25XB型 4英寸/6英寸 高精度對準光刻機主要用途
本機針對各大專院校、企業及科研單位。對光刻機使用特性研發的一種高精度的光刻機,三層減震,組合式,拆卸方便。
它主要用于中小規模集成電路、半導體元器件、光電子器件、聲表面波器件、薄膜電路、電力電子器件的研制和生產,適合硅片、玻璃片、陶瓷片、銅片、不銹鋼片、寶石片的曝光,而且也適合易碎片如:砷化鉀、磷化銦的曝光以及非圓形基片和小型基片的曝光。
C-25XB型 4英寸/6英寸 高精度對準光刻機主要性能指標:
1. 多種版夾盤
l C-25X300型4英寸有四種版夾盤,能真空吸附5"×5"或4"×4"或3"×3"方形掩板。對版的厚度無特殊要求(1~4mm皆可)。
l C-25X300型6英寸有六種版夾盤,能真空吸附7"×7"或6"×6"或5"×5"或4"×4"或3"×3"或2.5"×2.5"方形掩板。對版的厚度無特殊要求(1~4mm皆可)。
2. 真空吸附基片的“承片臺"
l C-25X300型4英寸設有相對應的真空吸附基片的“承片臺"三個,分別適用于φ2、φ3、φ4。對于非標準片或碎片,只要堵塞相應的小孔,同樣能真空吸附。
l C-25X300型6英寸設有相對應的真空吸附基片的“承片臺"五個,分別適用于φ2、φ3、φ4、φ5、φ6。對于非標準片或碎片,只要堵塞相應的小孔,同樣能真空吸附。
3. 照明
l 曝光面積:100mm*100mm
l 曝光不均勻性≤3%
l 曝光強度≥40mW/cm2可調
l 紫外光束角≤3°
l 紫外光中心波長365nm、404nm、435nm可選
l 紫外光源壽命:≥2萬小時
4. 采用進口時間繼電器(該繼電器可從0.1秒∽999.9秒預設)控制氣動快門,動作準確可靠。
5. 該機為接觸式曝光機,但可實現:
l 硬接觸曝光:用管道真空來獲得高真空接觸。真空≤-0.05MPa。
l 軟接觸曝光:接觸壓力可將真空降到-0.02MPa ~ -0.05MPa之間。
l 微力接觸曝光:小于軟接觸。真空≥-0.02MPa。
6. 分辯率估計
如果用戶的“版"、“片"精度符合國家規定,環境、溫度、濕度、塵埃得到嚴格控制,采用進口正性光刻膠,且勻膠厚度得到嚴格控制。加之前后工藝先進的話,硬接觸曝光的最小分辨度可達1μm以上
7. 對準
觀察系統為兩個單筒顯微鏡上裝二個CCD攝像頭,通過視屏線連接到顯視屏上。
a.單筒顯微鏡為0.7X~4.5X連續變倍顯微鏡(也可為1.6X~10X)。
b.CCD攝像機靶面對角線尺寸為:1/3,(6mm);
c.采用19"液晶監視器,其數字放大倍率為19÷1/3=57倍;
d.觀察系統放大倍數為:0.7×57≈40倍(最小倍數),4.5×57≈256倍(最大倍數)或(91倍~570倍)。
對準臺:(采用片動,版不動方式)
X、Y調整:±5mm。
θ調整:轉角≤5°
對準間隙(分離間隙)0~5mm任意可調。
對準精度:1μm
套刻精度:1μm
整個對準臺相對于顯微鏡可作±20mm掃描運動。
“接觸、分離"20μm情況下,片相對于版的“漂移量",可調到≤±0.5μm。
8. 設備所需能源:
主機電源: 220V±10% 50HZ
潔凈空氣≥0.4MPα。
真空:-0.07~-0.08MPα。
9. 尺寸和重量:
尺寸:機體720 mm(長)×720 mm(寬)×882mm(高)。
重量:≤100Kg。
機體放在專用工作臺上。
工作臺:1100 mm(長)×750 mm(寬)×645 mm(高)。
高度可調范圍0~30mm。
重量50Kg(工作臺后側裝有電氣部分)。
總重量≤200Kg
10. C-25XB型光刻機的組成
l 主機
主機(含機體和工作臺)
對準用單筒顯微鏡
LED曝光頭
l 附件
主機附件
3"□型掩版夾盤
4"□型掩版夾盤(出廠時安裝到機器上)
用于2"基片的真空夾持承片臺。
用于3"基片的真空夾持承片臺(出廠時安裝到機器上)
(若需特殊的基片承片臺,訂貨時用戶提出)
顯微鏡組成
單筒顯微鏡二個
兩個CCD
視頻連接線。
計算機和22"液晶監視器。
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