國產光刻機是一款專用于中小規模集成電路、半導體元器件以及聲表面波器件的研制和生產的先進設備。其出色之處在于其高度先進的找平機構，可以實現對多種材料的高精度曝光，包括硅片、玻璃片、陶瓷片、銅片、不銹鋼片和寶石片等。

　　工作方式方面，C-43型9英寸國產高精度光刻機采用一次性光刻曝光，即在一次操作中完成曝光的整個過程。

　　國產光刻機主要技術指標：

　　設備配備了一件承片臺，其尺寸可以根據用戶的需求進行定制。

　　曝光頭采用了多點光源曝光頭，其性能特點如下：

　　出射光斑直徑不超過230mm，采用高壓直流汞燈，功率為350W。

　　在直徑為230mm的范圍內，光的不均勻性小于±10%。

　　能夠在真空密封條件下進行曝光。

　　曝光時間可以通過0.1～999.9秒的時間繼電器進行設定。

　　汞燈的位置可以通過精密的x、y、z調節裝置進行調整，分別可以調節±5毫米。

　　具備風扇冷卻裝置。

　　分辨率不低于5μm。

　　具備真空吸片功能。

　　具有真空密封和反吹氣的功能，通過調節密封真空的大小可以實現硬接觸曝光（密封真空≤-0.05Mpa）、軟接觸曝光（密封真空在-0.05Mpa～-0.02Mpa之間）和微力接觸曝光（密封真空≥-0.02Mpa）。

　　C-43型9英寸國產高精度光刻機主要配置：

　　一臺多點光源曝光頭，支持一次性曝光。

　　曝光面積不小于φ230mm。

　　曝光不均勻性小于±10%。

　　曝光強度不低于5mw。

　　曝光分辨率不高于5μm。

　　曝光模式為單面曝光。

　　支持多種掩膜版尺寸，包括3英寸、4英寸、5英寸、6英寸、7英寸、8英寸、9英寸。

　　基片厚度不超過5mm。

　　曝光燈功率為350W。

　　曝光定時范圍為0～999.9秒，可調。

　　電源要求為單相AC220V50Hz，功耗不超過1kW。

　　需要潔凈壓縮空氣壓力不低于0.4Mpa。

　　可以實現真空度在-0.07Mpa～-0.09Mpa之間。

　　設備尺寸為700×650×1200毫米（長×寬×高），重量約為110kg。

　　備件包括一臺真空泵、一只汞燈和15米φ8氣管。