NLD-3500(M)原子層沉積系統:ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積,這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于前驅體流量的...
NLD-4000(M)原子層沉積系統:ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積,這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于前驅體流量的...
NLD-4000(ICPA)全自動PEALD系統:ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積,這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于...
進口ALD設備:ALD原子層沉積可以滿足膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積,這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于前驅體流量的隨意性不會帶來影響,所以在...
等離子體增強MOCVD:針對InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺式等離子輔助金屬有機化學氣相沉積系統(PA-MOCVD),該系統具有5個鼓泡裝置(各帶獨立的...
金屬有機化學氣相沉積系統MOVPE設備:針對InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺式等離子輔助(PA-MOCVD),該系統具有5個鼓泡裝置(各帶獨立的冷卻槽)...
NMC-4000(M)PA-MOCVD設備:針對InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺式等離子輔助金屬有機化學氣相沉積系統(PA-MOCVD),該系統具有5個...
NMC-4000(A)全自動PAMOCVD系統:針對InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺式等離子輔助金屬有機化學氣相沉積系統(PA-MOCVD),該系統具有...
NMC-4000(M) MOCVD設備:NANO-MASTER針對InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺式等離子輔助金屬有機化學氣相沉積系統(PA-MOCVD...
NMC-3000等離子輔助MOCVD系統:針對InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺式等離子輔助金屬有機化學氣相沉積系統(PA-MOCVD),該系統具有5個鼓...
NLD-4000(ICPM)PEALD系統:ALD原子層沉積可以滿足準確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積,這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于前驅體...
NLD-3500(A)全自動原子層沉積設備:ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積,這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于前驅體...
NLD-4000(A)全自動原子層沉積系統:ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積,這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于前驅體...
NLD-3000原子層沉積系統:ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積,這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于前驅體流量的隨意性...
NMC-4000 MOVPE設備:針對InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺式等離子輔助金屬有機化學氣相沉積系統(PA-MOCVD),該系統具有5個鼓泡裝置(...
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