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當前位置:北京亞科晨旭科技有限公司>>微納加工平臺-圖形發(fā)生>>光刻/鍵合系統(tǒng)>> CRESTEC電子束光刻 CABL-9000C 系列
參 考 價 | 面議 |
產(chǎn)品型號CRESTEC
品 牌其他品牌
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地北京市
更新時間:2024-09-25 14:58:46瀏覽次數(shù):1146次
聯(lián)系我時,請告知來自 化工儀器網(wǎng)Automated Production Wafer Bonding
CRESTEC CABL 系列采用專業(yè)的恒溫控制系統(tǒng),使得整個主系統(tǒng)的溫度保持恒定,再加上主系統(tǒng)內(nèi)部精密傳感裝置,使得電子束電流穩(wěn)定性,電子束定位穩(wěn)定性,電子束電流分布均一性都得到了大的提高,其性能指標遠遠高于其它廠家的同類產(chǎn)品,在長達 5 小時的時間內(nèi),電子束電流和電子束定位非常穩(wěn)定,電子束電流分布也非常均一。
由于 EBL 刻寫精度很高,因此寫滿整個 Wafer 需要比較長的時間,因此電子束電流,電子束定位, 電子束電流分布均一性在長時間內(nèi)的穩(wěn)定性就顯得尤為重要,這對大范圍內(nèi)的圖形制備非常關(guān)鍵。
CRESTEC CABL 系列采用其*的技術(shù)使其具有*的電子束穩(wěn)定性以及電子束定位精度,在大范圍內(nèi)可以實現(xiàn)圖形的高精度拼接和套刻。
Stitching accuracy | 50nm (500μm sq., μ+ 3σ)
20nm (50μm sq., μ+ 2σ) |
Overlay accuracy | 50nm (500μm sq., μ+ 3σ)
20nm (50μm sq., μ+ 2σ) |
Stitching accuracy for slant L&S <10nm
該圖是在 2 英寸 wafer 上,采用 50 um 的圖案進行拼接,寫滿整個片子,其拼接精度低于 10 nm.(實驗室數(shù)據(jù))。
CRESTEC CABL 系列還可以加工制備 10 nm 以下的線條,無論半導(dǎo)體行業(yè)還是在其它領(lǐng)域
CRESTEC 的電子束光刻產(chǎn)品都發(fā)揮了巨大的作用。
主要特點:
1.采用高亮度和高穩(wěn)定性的 TFE 電子槍
2.出色的電子束偏轉(zhuǎn)控制技術(shù) 3.采用場尺寸調(diào)制技術(shù),電子束定位分辨率(address size)可達 0.0012nm
4.采用軸對稱圖形書寫技術(shù),圖形偏角分辨率可達 0.01mrad
5.應(yīng)用領(lǐng)域廣泛,如微納器件加工,Si/GaAs 兼容工藝,研究用掩膜制造,納米加工(例如單電子器件、量子器件制作等),高頻電子器件中的混合光刻(Mix & Match),圖形線寬和圖形位移測量等。
20nm(mean+2σ),拼接精度 20nm(mean+2σ)。
技術(shù)參數(shù): 1.小線寬:小于 10nm(8nm available) 2.加速電壓:5-50kV
3. 電 子 束 直 徑 : 小 于 2nm 4.套刻精度:20nm(mean+2σ) 5.拼接精度:20nm(mean+2σ) 6.加工晶圓尺寸:4-8 英寸(standard),12 英寸(option)
7.描電鏡分辨率:小于 2nm
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