等離子體表面處理系統Pluto-M?參數(標準配置)

外部尺寸

404*640*515mm

真空腔尺寸

直徑210mm*230mm

不銹鋼腔體

電極尺寸

125*125mm

多空自適應平板電極

等離子體發生器

RF射頻發生器，頻率：13.56MHz

自適應阻抗匹配電源

功率

0-200W連續可調

精度1W

真空計

熱電偶真空計 0-1000mT

供氣

1路氣體

6mm國標連接件（軟管）

控制方式

4.3寸觸摸屏

可 選 配 置

ALC

純鋁腔體

RF-300

等離子體發生器

頻率13.56MHz ，0-300W自動阻抗匹配電源

可調電極

可調節電極間距

電極間距20-60mm可調，改變等離子體場濃度特性

CM裝置

沉積鍍膜模塊

用于改變表面特性：

1.    沉積CF材料，樣品表面可以具有憎水的特性

2.    沉積含苯材料，樣品表面起到絕緣防水的特性

3.    沉積含有羥基的材料，提高樣品表面和其他材料的結合效果。

GP裝置

氣體純化裝置

PPU

粉體處理裝置

用于處理微納米級別顆粒

氣體收集裝置

用于收集等離子體化學反應后的氣體

小型氧氣發生器

用于制備氧氣，可取代氧氣罐

氣體混合裝置

可以根據可以要求進行混氣設計

感應耦合模塊

感應耦合等離子體裝置

加熱電極模塊

電極可以加熱，室溫~200度可調。

光譜儀模塊

可以增加光譜儀的接口，檢測等離子體光譜變化

電極轉換模塊

可以自由變換電極設計，樣品可以放在射頻電極上，也可以放在地電極上。從而實現不同的處理效果。