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| 供貨周期 | 一周 | 應用領域 | 化工 |
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CuInS2晶體，拓撲材料
材料名稱：CuInS2晶體
性質分類：拓撲材料，半金屬，紅外材料
禁帶寬度：0.05 eV
合成方法：CVT
剝離難易程度：中
保存注意事項：晶體穩定，但表面容易氧化
CuInS2晶體，拓撲材料
CuInS2是一種由銅（Cu）、銦（In）和硫（S）元素組成的化合物，屬于硫化物材料。
這種化合物具有半導體性質，通常呈現為多晶體或薄膜的形式。CuInS2是一種II-III-VI族化合物半導體，具有光伏和光電應用潛力。它在太陽能電池和光電子器件中被廣泛研究，因為它具有適中的帶隙能量和良好的光電特性。
其優良的光學和電學性質使其在薄膜太陽能電池、光電探測器和光電池件等領域有廣泛應用。CuInS2作為光伏材料之一，其研究在太陽能轉換技術領域具有重要意義。
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以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2023.12.14.
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