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| 供貨周期 | 一周 | 應用領域 | 化工 |
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Ni2SiTe4晶體，磁性拓撲絕緣體
材料名稱：Ni2SiTe4晶體
性質分類：磁性拓撲絕緣體
合成方法：CVT
存儲：4℃冷藏、密封、避光
保存時間：1年
規格：mg
包裝：瓶裝/袋裝
用途：僅用于科研，不能用于人體
Ni2SiTe4晶體，磁性拓撲絕緣體
Ni2SiTe4是一種由鎳（Ni）、硅（Si）和碲（Te）元素組成的化合物，屬于層狀結構的材料。這種化合物可能表現出一些電學、磁學或者熱學性質。
對于Ni2SiTe4這類化合物，科學家們可能對其在拓撲絕緣體、磁性材料或者其他領域的潛在應用性質感興趣。層狀結構的材料通常因其在電子學、磁學和熱學方面的性質而備受關注。
然而，關于Ni2SiTe4晶體的具體性質和潛在應用，可能需要更深入的研究和探索。科學家們可能會進行實驗和理論研究，以全面了解其特性，并探索其在不同領域的實際應用。
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以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2023.12.20.
以上文中提到的產品僅用于科研，不能用于人體及其他用途。
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