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| 供貨周期 | 一周 | 應用領域 | 化工 |
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SnBi2Te4晶體，拓撲絕緣體，熱電材料
中文名稱：SnBi2Te4晶體
性質分類：拓撲絕緣體，熱電材料，紅外半導體
禁帶寬度：0.429eV
合成方法：CVT
剝離難易程度：易
保存注意事項：晶體穩定，需要避免水氧保存
保存時間：1年
規格：mg
包裝：瓶裝/袋裝
用途：僅用于科研，不能用于人體
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SnBi2Te4晶體，拓撲絕緣體，熱電材料
SnBi2Te4是一種拓撲絕緣體，屬于拓撲絕緣體材料家族的一部分。它是由錫（Sn）、鉍（Bi）和碲（Te）元素組成的化合物，具有層狀結構。
這種材料的晶體結構由錫、鉍和碲原子以層狀排列組成，這種排列方式形成了層狀結構。SnBi2Te4因其電子結構，在表面態和邊緣態上存在著拓撲性質，這使得它在拓撲電子學和量子信息領域引起了關注。
由于其電子結構和能帶特性，SnBi2Te4被廣泛用于研究拓撲絕緣體、拓撲超導體以及量子計算等領域。這些材料在量子信息存儲和處理中有潛在的應用前景，因為它們表現出的邊緣態能夠保護量子比特免受外部擾動。
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以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2023.12.21.
以上文中提到的產品僅用于科研，不能用于人體及其他用途。
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