18263262536
當前位置:北京亞科晨旭科技有限公司>>薄膜制備>>薄膜沉積CVD>> ALD R-200PICOSUN原子層沉積系統ALD R-200基礎版
產地類別 | 進口 | 價格區間 | 100萬-200萬 |
---|---|---|---|
應用領域 | 電子,航天 |
PICOSUN原子層沉積系統ALD R-200基礎版
(PICOSUN™ ALD R-200 Standard)
名稱:原子層沉積系統 產地:芬蘭
Picosun簡介
Picosun是yi家公司,Picosun的總部位于芬蘭的Espoo,其生產設施位于芬蘭的Masala(Kirkkonummi)。PICOSUN®ALD設備專為高產量和高產量而設計,并且不斷發展以提高效率。Picosun適應性強其客戶包括 大的電子制造商,小型的創新型挑戰者以及 先的大學。 Picosun的組織機構和種類繁多的ALD解決方案都可以滿足每個客戶的需求。PICOSUN®研發工具具有du特的內置可擴展性,可確保將研究結果平穩過渡到大批量工業制造中,而不會出現技術差距。Picosun的熱情在于創新。當您想與設備制造商共同創建定制的ALD解決方案,從而引 行業發展時,Picosun是您的合作伙伴。
Picosundu特的突破性ALD專業知識可追溯到ALD技術本身的誕生。于1974年在芬蘭發明了ALD方法,并在工業上獲得了 。在高質量ALD系統設計方面擁有豐富的經驗。高度敬業的Picosun人員擁有的ALD經驗,并且為ALD的許多 做出了貢獻。
PICOSUN™ R系列設備提供高質量ALD薄膜的沉積技術,并在各種各樣的襯底上都表現ji佳的均勻性,包括 具挑戰性的通孔的、超高深寬比和顆粒等樣品。我們為液體、氣體和固體化學物提供的更高級的,易更換的前驅源系統,能夠在晶圓、3D樣品和各種納米特性的樣品上生長顆粒度 小的薄膜層。在 基本的PICOSUN™ R系列配置中可以選擇多個du立的,*分離的源入口匹配多種類型的前驅源。PICOSUN™ R系列du特的擴展性使ALD工藝可以從研究環境直接過渡到生產環境的PICOSUN™ P系列ALD系統。由于研發型與生產型PICOSUN™反應腔室核心設計特點都是相同的,這消除了實驗室與制造車間之間的鴻溝。對大學來說,突破創新的技術轉化到生產中,就會吸引到企業投資。
PICOSUN®R-200標準
PICOSUN®R-200標準ALD系統適用于數十種應用的研發,例如IC組件,MEMS器件,顯示器,LED,激光和3D對象,例如透鏡,光學器件,珠寶,硬幣和醫療植入物。熱ALD研究工具的市場領dao者。它已成為創新驅動的公司和研究機構的shou選工具。
敏捷的設計實現了 高質量的ALD薄膜沉積以及系統的 終靈活性,可以滿足未來的需求和應用。 的熱壁設計具有*du立的入口和儀器,可實現無顆粒工藝,適用于晶圓,3D對象和所有納米級特征上的多種材料。得益于我們專有的Picoflow™技術,即使在 具挑戰性的通孔,超高長寬比和納米顆粒樣品上也可以實現出色的均勻性。 PICOSUN®R-200 Standard系統配備了功能強大且易于更換的液態,氣態和固態化學物質前體源。與手套箱,粉末室和各種原位分析系統集成,無論您現在的研究領域是什么,或以后可能成為什么樣的研究領域,都可以進行高效,靈活的研究,并獲得良好的結果。
技術指標
襯底尺寸和類型 | 50 – 200 mm /單片 |
大可沉積直徑150 mm基片,豎直放置,10-25片/批次(根據工藝) | |
156 mm x 156 mm 太陽能硅片 | |
3D 復雜表面襯底(使用Showerhead噴灑淋浴模式效果更佳) | |
粉末與顆粒(配備擴散增強器) | |
多孔,通孔,高深寬比(HAR)樣品 | |
工藝溫度 | 50 – 500 °C, 可選更高溫度(真空腔體外壁不用任何冷卻方式即可保持溫度低于60 °C) |
基片傳送選件 | 氣動升降(手動裝載) |
預真空室安裝磁力操作機械手(Load lock ) | |
前驅體 | 液態、固態、氣態、臭氧源 |
4根du立源管線, 多加載6個前驅體源 | |
對蒸汽壓低的前驅體(1mbar~10mbar),用氮氣等載氣dao入前驅體瓶內引出 | |
重量 | 350kg |
尺寸( W x H x D)) | 取決于選件 |
小146 cm x 146 cm x 84 cm | |
大189 cm x 206 cm x 111 cm | |
選件 | PICOFLOW™擴散增強器,集成橢偏儀,QCM, RGA,N2發生器,尾氣處理器,定制設計,手套箱集 |
成(用于惰性氣體下裝載)。 | |
驗收標準 | 標準設備驗收標準為 Al2O3 工藝 |
應用領域
客戶使用PICOSUN™ R系列ALD 設備在150mm和200mm(6”和8”)晶圓上所沉積薄膜厚度均勻性數據。
材料 | 非均勻性(1σ) |
AI2O3 (batch) | 0.13% |
SiO2 (batch) | 0.77% |
TiO2 | 0.28% |
HfO2 | 0.47% |
ZnO | 0.94% |
Ta2O5 | 1.00% |
TiN | 1.10% |
CeO2 | 1.52% |
Pt | 3.41% |
請輸入賬號
請輸入密碼
請輸驗證碼
以上信息由企業自行提供,信息內容的真實性、準確性和合法性由相關企業負責,化工儀器網對此不承擔任何保證責任。
溫馨提示:為規避購買風險,建議您在購買產品前務必確認供應商資質及產品質量。