EVG 850 LT

　　Automated Production Bonding System for SOI and Direct Wafer Bonding

　　EVG 850LT SOI和直接晶圓鍵合的自動化生產鍵合系統

　　自動化生產鍵合系統，適用于多種融合/分子晶圓鍵合應用

　　晶圓鍵合是SOI晶圓制造工藝以及晶圓級3D集成的一項關鍵技術。借助用于機械對準SOI的EVG850 LT自動化生產鍵合系統和具有LowTemp™等離子活化的直接晶圓鍵合，融合了熔合的所有基本步驟-從清潔，等離子活化和對準到預鍵合和IR檢查-。因此，經過實踐檢驗的行業標準EVG850 LT確保了高達300 mm尺寸的無空隙SOI晶片的高通量，高產量生產工藝。

　　特征

　　利用EVG的LowTemp™等離子激活技術進行SOI和直接晶圓鍵合

　　適用于各種融合/分子晶圓鍵合應用 ;生產系統可在高通量，高產量環境中運行

　　盒到盒的自動操作(錯誤加載，SMIF或FOUP); 無污染的背面處理

　　超音速和/或刷子清潔; 機械平整或缺口對齊的預粘合

　　先進的遠程診斷技術數據

　　晶圓直徑(基板尺寸)100-200、150-300毫米

　　全自動盒帶到盒帶操作

　　預粘接室

　　對齊類型：平面到平面或凹口到凹口

　　對準精度：X和Y：±50 µm，θ：±0.1°

　　結合力：zui高5 N

　　鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活

　　真空系統：9x10-2 mbar(標準)和9x10-3 mbar(渦輪泵選件)

　　LowTemp™等離子激活模塊

　　2種標準工藝氣體：N2和O2，以及2種其他工藝氣體：高純度氣體(99.999%)，稀有氣體(Ar，He，Ne等)和合成氣(N2，Ar和H4含量zui高)

　　通用質量流量控制器：zui多可對4種工藝氣體進行自校準，可對配方進行編程，流速zui高可達到20.000 sccm