您好, 歡迎來(lái)到化工儀器網(wǎng)! 登錄| 免費(fèi)注冊(cè)| 產(chǎn)品展廳| 收藏商鋪|
18263262536
當(dāng)前位置:北京亞科晨旭科技有限公司>>微納加工平臺(tái)-圖形發(fā)生>>電子束曝光>> CRESTEC超高分辨率的電子束光刻 CABL-UH 系列
參 考 價(jià) | 面議 |
產(chǎn)品型號(hào)CRESTEC
品 牌其他品牌
廠(chǎng)商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地北京市
更新時(shí)間:2024-09-25 15:00:55瀏覽次數(shù):1438次
聯(lián)系我時(shí),請(qǐng)告知來(lái)自 化工儀器網(wǎng)RAITH多功能電子束曝光系統(tǒng)eLINE Plus
Electron Beam Lithography System(EB
CRESTEC CABL 系列采用專(zhuān)業(yè)的恒溫控制系統(tǒng),使得整個(gè)主系統(tǒng)的溫度保持恒定,再加上主系統(tǒng)內(nèi)部精密傳感裝置,使得電子束電流穩(wěn)定性,電子束定位穩(wěn)定性,電子束電流分布均一性都得到了大的提高,其性能指標(biāo)遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于其它廠(chǎng)家的同類(lèi)產(chǎn)品,在長(zhǎng)達(dá) 5 小時(shí)的時(shí)間內(nèi),電子束電流和電子束定位非常穩(wěn)定,電子束電流分布也非常均一。
由于 EBL 刻寫(xiě)精度很高,因此寫(xiě)滿(mǎn)整個(gè) Wafer 需要比較長(zhǎng)的時(shí)間,因此電子束電流,電子束定位, 電子束電流分布均一性在長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)的穩(wěn)定性就顯得尤為重要,這對(duì)大范圍內(nèi)的圖形制備非常關(guān)鍵。
CRESTEC CABL 系列采用其*的技術(shù)使其具有*的電子束穩(wěn)定性以及電子束定位精度,在大范圍內(nèi)可以實(shí)現(xiàn)圖形的高精度拼接和套刻。
Stitching accuracy | 50nm (500μm sq., μ+ 3σ)
20nm (50μm sq., μ+ 2σ) |
Overlay accuracy | 50nm (500μm sq., μ+ 3σ)
20nm (50μm sq., μ+ 2σ) |
Stitching accuracy for slant L&S <10nm
該圖是在 2 英寸 wafer 上,采用 50 um 的圖案進(jìn)行拼接,寫(xiě)滿(mǎn)整個(gè)片子,其拼接精度低于 10 nm.(實(shí)驗(yàn)室數(shù)據(jù))。
CRESTEC CABL 系列還可以加工制備 10 nm 以下的線(xiàn)條,無(wú)論半導(dǎo)體行業(yè)還是在其它領(lǐng)域
CRESTEC 的電子束光刻產(chǎn)品都發(fā)揮了巨大的作用。
主要特點(diǎn):
1.采用高亮度和高穩(wěn)定性的 TFE 電子槍
2.出色的電子束偏轉(zhuǎn)控制技術(shù) 3.采用場(chǎng)尺寸調(diào)制技術(shù),電子束定位分辨率(address size)可達(dá) 0.0012nm
4.采用軸對(duì)稱(chēng)圖形書(shū)寫(xiě)技術(shù),圖形偏角分辨率可達(dá) 0.01mrad
5.應(yīng)用領(lǐng)域廣泛,如微納器件加工,Si/GaAs 兼容工藝,研究用掩膜制造,納米加工(例如單電子器件、量子器件制作等),高頻電子器件中的混合光刻(Mix & Match),圖形線(xiàn)寬和圖形位移測(cè)量等。
CABL-UH90 (90keV) 、CABL-UH110 (110keV) 、CABL-UH130 (130keV)
技術(shù)參數(shù):
加速電壓:高 130keV
單段加速能力達(dá)到 130keV,盡量減少電子槍的長(zhǎng)度超短電子槍長(zhǎng)度,無(wú)微放電
電子束直徑<1.6nm 小線(xiàn)寬<7nm
雙熱控制,實(shí)現(xiàn)超穩(wěn)定直寫(xiě)能力
CABL-UH(130kV)系列
由于較高的加速電壓,EB抗蝕劑的前向散射較小。 CABL-UH模型的準(zhǔn)確度低于10 nm。您可以根據(jù)自己的需要選擇90kV,HOkV或130kV。
光束直徑:<1.6nm①
小線(xiàn)寬:7 nm(在130kV時(shí))
加速電壓:130 kV,110 kV或90 kV
載物臺(tái)尺寸:8英寸晶圓(可以使用少于8英寸晶圓的任何其他晶圓)
我的特色
♦Vacc:大130kV(25-130kV,5kV步進(jìn))
♦單級(jí)加速能力高達(dá)130kV,以小化EOC尺寸
♦無(wú)放電電子槍
♦光束直徑:> 1.6nm
♦細(xì)線(xiàn)能力:<7nm
♦發(fā)射極和陽(yáng)極之間的靜電透鏡設(shè)計(jì)為在消隱電極的中心實(shí)現(xiàn)非常低的像差和近距離交叉圖像
♦使用雙熱控制器實(shí)現(xiàn)超穩(wěn)定的寫(xiě)入能力
I規(guī)格
電子發(fā)射器/
加速電壓TFE(ZrO / W)Z25?130kV
小光束直徑/
小線(xiàn)寬1.6nm / 7.0nm
掃描方式矢量掃描(x,y)(標(biāo)準(zhǔn))
矢量掃描(r,6),光柵掃描,點(diǎn)掃描(可選)
高級(jí)光刻功能(可選)場(chǎng)尺寸調(diào)制光刻,軸向?qū)ΨQ(chēng)圖案光刻
字段大小30 pmZ、60pmZ、120prr)Z,SOOpmZ,600pm3(標(biāo)準(zhǔn))1200pmZi,2400pmZi(可選)
20,000 x20,000點(diǎn),60,000 x 60,OO點(diǎn),96,000 x 96,OO點(diǎn),
像素?cái)?shù)240,000x 240,OO點(diǎn)©矢量掃描(標(biāo)準(zhǔn))
10,000xl0,000dot @ R3Ster掃描(可選)
小地址大小10nm @ 600pmZfield,2nm @ 120pmZfield(標(biāo)準(zhǔn))
0.0012nm@600pmZfield(可選)
尺寸為4、6、8英寸的工件>(其他尺寸和其他形狀的工件可以通過(guò)我們的靈活裝置安裝)
■拼接業(yè)紜蘇•50nm(3u)@ 600pmZ,20nm(2a)@ 60pmZ
重疊精度50nm(3o)@ 600pmZ
CAD軟件CAD(標(biāo)準(zhǔn)),GDS n轉(zhuǎn)換(可選),DXF轉(zhuǎn)換(可選)
操作系統(tǒng)Windows
請(qǐng)輸入賬號(hào)
請(qǐng)輸入密碼
請(qǐng)輸驗(yàn)證碼
以上信息由企業(yè)自行提供,信息內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由相關(guān)企業(yè)負(fù)責(zé),化工儀器網(wǎng)對(duì)此不承擔(dān)任何保證責(zé)任。
溫馨提示:為規(guī)避購(gòu)買(mǎi)風(fēng)險(xiǎn),建議您在購(gòu)買(mǎi)產(chǎn)品前務(wù)必確認(rèn)供應(yīng)商資質(zhì)及產(chǎn)品質(zhì)量。